收藏本站
NTGD3133P
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.0001
SINGLE PULSE
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTGD3147FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGD3148NT1G MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP
NTGD3149CT1G MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP
NTGD4161PT1G MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
NTGD4167CT1G MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
NTGD4169FT1G MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGS1135PT1G MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
NTGS3130NT1G MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
NTGD3133PT1H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
NTGD3147F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode−20 V, −2.5 A, P−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
NTGD3147FT1G 功能描述:MOSFET FETKY 20V 2.5A 145M TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGD3148 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NN CH 20V 3.5A 6TSOP 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, NN CH, 20V, 3.5A, 6TSOP
NTGD3148N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6
NTGD3148NT1G 功能描述:MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGD3149C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.5/−2.7 A, TSOP−6 Dual
NTGD3149CT1G 功能描述:MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube